德國Xiton公司在Ixion-193-SLM標準款的基礎上，推出兩款新型Ixion-193-SLM深紫外窄線寬全固態激光器。其中更高功率款的平均功率由10mW提升至50mW,更窄線寬款的激光線寬由標準款的線寬<80MHz（10fm),相干長度>2m; 提升至線寬<60MHz（10fm),相干長度>2.5m;

Ixion-193-SLM激光器共同的特點：

- 使用超級簡便：用戶只需在圖形化的軟件界面上即可完成操作

- 可適應7天24小時工業化應用

- 窄線寬，長相干長度

- 標準輸出193.368nm，下單前可提前定制190-195nm范圍間任意波長值。

- 波長在10pm(80GHz)范圍內可調諧

- 可增配內置波長計監測波長調諧的絕對值

產品規格

應用舉例：

光譜儀校準：

Ixion-193-SLM標準款就已經很適合做193nm深紫外頻段高分辨率光譜儀校準，下圖為校準德國LTB高分辨率中階梯光柵光譜儀的實測圖

深紫外光刻：

Ixion-193-SLM-50的輸出功率可達50mW, 可用于科研級別小尺度深紫外光刻;其光譜線寬<100MHz, 可有效降低深紫外光刻系統的色差導致的位置偏差，特別適合于浸沒型高分辨率光刻，以及多次曝光套刻。

準分子激光器的種子注入：

用于產業級別高精細度半導體光刻制程時， Ixion-193-SLM可用于大功率準分子激光器的種子注入源，將自身的超窄線寬和超高功率穩定性傳遞給大功率準分子激光器，提升半導體光刻制程分辨率與良品率。

深紫外干涉與計量：

Ixion-193-SLM以其1.5-2.5m的長相干長度，很適合搭建193nm干涉系統和全息系統；193nm深紫外激光架構比266nm激光架構用于無圖型半導體晶圓缺陷檢測儀能做到更細微的缺陷監測極限；用于膜厚檢測也可做到更精細的膜厚檢測極限；可用于掩膜對準步進光學系統的校準。總之，Ixion-193-SLM可做為超精細半導體制程光刻系統或器件的研究與優化應用的光源。